概要
昇温脱離質量分析 (TDS-MS) 法により半導体中の微量成分を分析する。
分析試料：Si上にコートした無機系SOG (Spin On Glass) 膜
分析手法：昇温脱離質量分析法によるSOG膜中に存在する残留揮発分を分析する。
分析装置： EMD-WA1000S (タンデム排気仕様)
分析条件： 温度範囲 (室温 ～ 1000 ℃)、昇温速度 (60 ℃ / min)
測定質量数 (2、15、16、17、18、27、28、44)
●SOG膜のTDS分析結果 (全質量数)
●TDS測定系の模式図
●ＳＯＧ膜のTDS分析（水素）
ピーク面積より水素量を定量
| ピーク |
極大温度 |
定量値 / cm-2 |
| ① |
230 ℃ |
1.4 × 10 14 |
| ② |
380 ℃ |
5.0 × 10 14 |
| ③ |
570 ℃ |
7.8 × 10 14 |
●水素の脱離ピークが異なる温度に３種存在（膜中で水素の状態が複数存在）
●各状態（脱離温度）別に水素量を定量