概要
微小領域の高分子薄膜の絶縁抵抗測定がプローブを用いることで可能となった。
顕微鏡での観察下、必要な場所にプロービングでコンタクトした後、直流電圧を加え、サンプル内を通過した微小電流を計測することで、Ｉ－Ｖ特性、抵抗、絶縁破壊電圧を知ることができる。
（例：有機絶縁膜の微小電流測定及び絶縁破壊電圧測定）
測定概略図と測定例
高分子薄膜のＩ－Ｖ測定
一般に伝導電流は、低電界では電界に比例する（オーム則領域）電界が高くなると、電流は電界に対し非直線的に増加するようになり、最終的には絶縁破壊にいたる
高分子薄膜の抵抗測定
絶縁膜が 1 μm から 200 nm と薄くなるにつれ、抵抗値が下がっていることがわかる
なお、抵抗測定はすべて大気中において室温で実施している
試験条件例
導電性に高い基盤（例：AsドープSiウェハ）上に測定する高分子薄膜を塗布したサンプルをご準備ください
| 試験片寸法 |
2 mm ～ 4 インチ φ |
対応厚み |
約200 nm ～ 20 μm 程度 |
| 試験環境 |
23 ±2 ℃ ／ 50 ±5 %RH |
前処理（電極形成） |
アルミ蒸着・スクリーン印刷 |
ご希望の試験条件があれば対応致しますので、お気軽にお問合せ下さい